鋁合金的 CMP 技術克服了單純化學拋光產生的過度腐蝕、麻點等表面缺陷及機械拋光產生的表面裂紋、劃傷等。而且 CMP 過程操作簡單、污染小、效率高、易于產業化。鋁合金 CMP 技術在表面全局平坦化實現其鏡面效果方面有著廣闊的發展前景，因此有必要對鋁合金 CMP 加工工藝進行研究。

　　本文對鋁合金 CMP 拋光工藝的研究主要完成了以下工作：

　　(1) 對鋁合金表面處理技術的現狀進行了分析。通過查閱大量的表面處理技術的相關文獻，分析了目前鋁合金的市場前景，鋁合金 CMP 技術的優勢及研究的必要性，對國內外鋁合金 CMP 技術研究的現狀進行了簡要闡述，明確了鋁合金拋光工藝研究所進行需要完成的內容。進一步概述了鋁合金 CMP 的優勢及存在的問題，說明了鋁合金 CMP 技術研究的迫切性和重要性。

　　(2) 闡述了鋁合金 CMP 過程的加工機理。通過對傳統拋光技術的分析對比，闡述了 CMP 的基本拋光原理，并對拋光過程的兩方面原理，即化學作用和機械作用進行了詳細的分析。分別從闡述了國內外對于 CMP 拋光機理模型的研究。

　　(3) 研究了鋁合金 CMP 粗拋加工工藝參數。通過試驗對比研究了 CMP 過程中化學作用及機械作用對材料去除率的影響程度。采用正交實驗法對鋁合金粗拋試驗工藝參數對拋光過程的影響進行了分析，得出了粗拋過程中工藝參數對鋁合金表面粗糙度影響程度依次為拋光壓力、拋光液流量、拋光時間和拋光盤轉速，對材料去除率影響程度依次為拋光壓力、拋光盤轉速、拋光時間和拋光液流量。確定的比較好粗拋工藝參數為拋光壓力 28Kpa 、拋光盤轉速 70r/min 、拋光液流量 40ml/min 、拋光時間為 15min 。并對其進行了實驗驗證。

　　(4) 研究了鋁合金 CMP 精拋加工工藝參數。依據鋁合金精拋加工特點對拋光墊的屬性進行分析，選擇合適的拋光墊。通過單因素法研究了各工藝參數與材料去除率的關系，并分析了各工藝參數對鋁合金表面質量的影響。得出了拋光壓力為 20KPa ，拋光盤轉速為 60r/min 時表面粗糙度比較低， H 2 O 2 含量在 2% 時能夠很大程度上提高材料去除率同時對表面粗糙度影響不大。 (5) 研究了鋁合金拋光過程中拋光溫度的影響。理論分析了拋光溫度產生的原因及影響因素，明確了試驗研究的目標。通過單因素試驗研究了各工藝參數對拋工程碩士學位文章 49 光溫度的影響。分析了拋光溫度對材料去除率的影響。探討了拋光溫度對鋁合金表面質量的影響。得出了 41oC 時材料的去除率比較大，拋光溫度在 47oC 時表面出現大量的腐蝕坑，表面質量嚴重惡化。

　　存在的不足及今后的工作方向

　　由于本文作者水平有限，加上時間和客觀條件的限制，研究存在著不足之處。通過對研究結論的總結分析，針對目前存在的不足和試驗面臨的實際問題，可以在以下幾個方面做進一步的研究和分析：

　　(1) 鋁合金材質對 CMP 拋光效果的影響，本文采用的鋁合金為 6063 鋁合金，試驗發現不同的合金元素對 CMP 效果也有影響。分析不同的合金元素對拋光效果的影響，得出較為準確的合金元素的 CMP 關系，對于研究合金類 CMP 工藝有著重要的意義。

　　(2) 對鋁合金拋光液性能及成分進行研究，得出滿足加工要求的拋光液，提高拋光過程中的穩定性。

　　(3) 通過對比其他材料的 CMP 效果，研究分析 CMP 的加工機理。 (4) 針對拋光過程中的材料去除的不確定性，研究拋光墊固著磨料的拋光原理及工藝。